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人們對(duì)于新型材料的依賴越來越強(qiáng)，為此，麻省理工學(xué)院研制出了僅有原子厚度的新型材料，通過他們的方法，研究小組用一種叫做過渡金屬二氯化物（TMDs）的二維材料制造了一個(gè)簡(jiǎn)單的功能晶體管，眾所周知，這種材料在納米尺度上的導(dǎo)電性能比硅更好。接下來跟隨托普仕老師一起來看看吧！
遵循摩爾定律，自20世紀(jì)60年代以來，微芯片上的晶體管數(shù)量每年翻一番，但這種增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到極限，因?yàn)樽鳛楝F(xiàn)代晶體管基礎(chǔ)的硅，當(dāng)用它制成的設(shè)備低于一定尺寸時(shí)，就會(huì)失去其電氣特性。
但是在電子工業(yè)能夠過渡到二維材料之前，科學(xué)家們必須首先找到一種方法，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的硅片上安放這些材料，同時(shí)保留其完美的結(jié)晶形式。而麻省理工學(xué)院的工程師現(xiàn)在可能有一個(gè)解決方案。
該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出一種方法，可以使芯片制造商通過在現(xiàn)有的硅和其他材料的晶圓上生長(zhǎng)，用二維材料制造出更小的晶體管。這種新方法是一種"非外延式單晶生長(zhǎng)"的形式，該團(tuán)隊(duì)首次使用這種方法在工業(yè)硅晶圓上生長(zhǎng)出純凈的、無缺陷的完美二維材料。
麻省理工學(xué)院機(jī)械工程系副教授JeehwanKim說："我們預(yù)計(jì)我們的技術(shù)可以使基于二維半導(dǎo)體的高性能下一代電子設(shè)備得到發(fā)展。我們已經(jīng)解開了一個(gè)使用二維材料追趕摩爾定律的方法。"
Kim和他的同事在最近發(fā)表于《自然》雜志的一篇論文中詳細(xì)介紹了他們的方法。這項(xiàng)研究的麻省理工學(xué)院合作者包括KiSeokKim、DoyoonLee、CelestaChang、SeunghwanSeo、HyunseokKim、JihoShin、SanghoLee、JunMinSuh和Bo-InPark，以及德克薩斯大學(xué)達(dá)拉斯分校、加州大學(xué)河濱分校、圣路易斯華盛頓大學(xué)和韓國(guó)各地機(jī)構(gòu)的合作者。如果想要了解更多，可以添加V信Tops6868，托普仕專業(yè)的老師會(huì)為您解疑答惑。
通過在涂有"掩膜"的晶圓上沉積原子，麻省理工學(xué)院的工程師可以將原子聚集在掩膜的各個(gè)口袋里，并鼓勵(lì)原子生長(zhǎng)成完美的二維單晶層。
以上是對(duì)于麻省理工研制出新型材料的解讀，如果您對(duì)美國(guó)留學(xué)感興趣，歡迎您在線咨詢托普仕留學(xué)老師，托普仕留學(xué)專注美國(guó)前30高校申請(qǐng)，助力國(guó)內(nèi)學(xué)子順利獲得美國(guó)藤校入讀資格。盡早規(guī)劃和遞交申請(qǐng)，對(duì)您未來留學(xué)會(huì)更有幫助！
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