UCLA ECE電子信息工程AI芯片專題項目上線！9月招生倒計時開啟！
2024-09-26 19:22:45項目基本信息
專業(yè)類別
理工
參加形式
線上
適合人群
適用于電子工程、芯片設計等相關專業(yè)的大學生及以上學歷人群。
導師介紹
Dejan
加州大學洛杉磯分校 (UCLA) 講席終身正教授
Dejan導師現任加州大學洛杉磯分校（UCLA）電子計算機工程終身正教授、電氣與電子工程師協(xié)會會士(IEEE Fellow, Class of 2021）、美國醫(yī)學與生物工程院院士(AIMBE Fellow， Class of 2022)，獲得美國自然科學基金（NSF）早期職業(yè)獎（Early Career Development Awards)、ISSCI杰出論文獎，擁有加州大學伯克利分校博士學位。Dejan導師的研究聚焦植入式神經調節(jié)系統(tǒng)、領域特定計算、設計方法論，在國際知名期刊發(fā)表論文110余篇，h指數48，i10指數135，引用量高達8500+。
項目背景
超大規(guī)模集成電路（VLSI）是一種將大量晶體管組合到單一芯片的集成電路。從1970年代開始，隨著復雜的半導體以及通信技術的發(fā)展，集成電路的研究、發(fā)展也逐步展開。計算機里的控制核心微處理器就是超大規(guī)模集成電路的最典型實例。VLSI設計，尤其是數字集成電路，通常采用電子設計自動化的方式進行，已經成為計算機工程的重要分支之一。截至2016年，數十億級別的晶體管處理器已經普遍。隨著半導體制造工藝從10納米水平躍升到下一步7納米，會遇到諸如量子穿隧效應之類的挑戰(zhàn)。項目將帶領學生探討VLSI設計中的功耗、散熱、工藝偏差、設計布局等諸多課題。
項目大綱
一、UCLA ECE電子信息工程AI芯片專題項目倒計時招生開啟【大學組】
UCLA ECE電子信息工程AI芯片專題項目內容包括MOS晶體管與IV模型、變頻器VTC與MOS RC模型、延時與功率、CMOS尺寸、CMOS與傳輸管邏輯、邏輯努力理論等。
學生將通過項目掌握數字邏輯門分析與設計，在項目結束時提交項目報告，進行成果展示。
個性化研究課題參考：相控陣收發(fā)組件的射頻/微波集成電路設計、高隔離度低損耗的CMOS工藝開關設計、深亞微米CMOS工藝下模擬集成電路的數字增強技術研究、數字超大規(guī)模集成電路設計
二、UCLA ECE電子信息工程AI芯片專題項目課程詳情
課程組成模式：7周在線小組科研學習+5周不限時論文指導學習
主要課程大綱包括：
1、MOS晶體管與IV模型：半導體技術和MOS管綜述 Introduction and MOS transistor IV model：A Review of Semiconductor Technology and MOS Transistors
2、逆變器VTC與MOS RC模型: 數字邏輯靜態(tài)、動態(tài)屬性 Inverter VTC and MOS RC model：Static and dynamic properties of digital logic
3、延時與功耗、CMOS縮放比例：RC延時模型、功率元件 Delay and power, CMOS scaling：RC delay model, power components
4、CMOS與傳輸管邏輯：靜態(tài)CMOS構建數字邏輯，PTL CMOS and pass-transistor logic：Static CMOS builds digital logic, PTL
5、邏輯努力理論：邏輯努力模型及其在邏輯門中的應用 Logical effort theory：Logic Effort Model and Its Application in Logic Gates
6、項目回顧與成果展示 Program Review and Presentation
7、論文輔導 Project Deliverables Tutoring
課時安排
12周
報名方式
項目收獲
1、主導師優(yōu)質推薦信
2、豐富的EE相關研究經驗
3、為進入世界EE名校奠定基礎
4、深入感受EE領域的內部世界
